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kleiner Oberflächenzenerdiode-Einsparungs-Raum BZM55C2V0 - BZM55C75 des berg-0.5W

China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. zertifizierungen
China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. zertifizierungen
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kleiner Oberflächenzenerdiode-Einsparungs-Raum BZM55C2V0 - BZM55C75 des berg-0.5W

0.5W Small Surface Mount Zener Diode Saving Space BZM55C2V0 - BZM55C75
0.5W Small Surface Mount Zener Diode Saving Space BZM55C2V0 - BZM55C75 0.5W Small Surface Mount Zener Diode Saving Space BZM55C2V0 - BZM55C75 0.5W Small Surface Mount Zener Diode Saving Space BZM55C2V0 - BZM55C75

Großes Bild :  kleiner Oberflächenzenerdiode-Einsparungs-Raum BZM55C2V0 - BZM55C75 des berg-0.5W

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: XUYANG
Zertifizierung: ISO9001/RoHS
Modellnummer: BZM55C2V0 - BZM55C75

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 2500pcs
Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Band in der Spule, 2500pcs/reel
Lieferzeit: 5-7 Werktage
Zahlungsbedingungen: T / T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 500000pcs pro momth
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Teilenummer: BZM55C2V0 - BZM55C75 Spannung: 2.0-75V
Leistung: 0,5 w Toleranz: ±5%
Verpackung: Mikro-Melf Vorbei versenden: DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ Meer
Markieren:

silicon rectifier diode

,

silicon zener diode

kleine Zenerdiode BZM55C2V0 0.5W 2.0V-75V bis BZM55C75 mit Mikro-Melf-Paket

 

Eigenschaften

1. Einsparungsraum
2. Sitze auf Abdrücke des RASENS 323/SOT 23
3. Mikro Melf-Paket

 

Anwendungen

Spannungsstabilisierung

 

Absolute Maximalleistungen

Tj=25℃

Parameter Testbedingungen Symbol Wert Einheit
Verlustleistung RthJA≦300K/W Pv 500 mW
Z-gegenwärtig   Iz Pv/Vz MA
Grenzschichttemperatur   Tj 175
Lagertemperaturbereich   Tstg -65~+175

 

Maximaler thermischer Widerstand

Parameter Testbedingungen Symbol Wert Einheit
Kreuzung umgebend auf PC-Brett 50mm×50mm×1.6mm RthJA 500 K/W

 

Elektrische Eigenschaften

Tj=25℃

Parameter Testbedingungen Art Symbol Minute Art Maximal Einheit
Vorwärtsspannung IF=200mA   VF     1,5 V

 

Art Vznom IZT für VZT und rzjT rzjT an IZK IR und IR an VR TKVZ
BZM55C V MA V1) Ω Ω MA μA μA2) V %/K
2V4 2,4 5 2.28~2.56 <85 <600 1 <50 <100 1 -0.09~-0.06
2V7 2,7 5 2.5~2.9 <85 <600 1 <10 <50 1 -0.09~-0.06
3V0 3,0 5 2.8~3.2 <85 <600 1 <4 <40 1 -0.08~-0.05
3V3 3,3 5 3.1~3.5 <85 <600 1 <2 <40 1 -0.08~-0.05
3V6 3,6 5 3.4~3.8 <85 <600 1 <2 <40 1 -0.08~-0.05
3V9 3,9 5 3.7~4.1 <85 <600 1 <2 <40 1 -0.08~-0.05
4V3 4,3 5 4.0~3.6 <75 <600 1 <1 <20 1 -0.06~-0.03
4V7 4,7 5 4.4~5.0 <60 <600 1 <0.5 <10 1 -0.05~+0.02
5V1 5,1 5 4.8~5.4 <35 <550 1 <0.1 <2 1 -0.02~+0.02
5V6 5,6 5 5.2~6.0 <25 <450 1 <0.1 <2 1 -0.05~+0.05
6V2 6,2 5 5.8~6.6 <10 <200 1 <0.1 <2 2 0.03~0.06
6V8 6,8 5 6.4~7.2 <8 <150 1 <0.1 <2 3 0.03~0.07
7V5 7,5 5 7.0~7.9 <7 <50 1 <0.1 <2 5 0.03~0.07
8V2 8,2 5 7.7~8.7 <7 <50 1 <0.1 <2 6,2 0.03~0.08
9V1 9,1 5 8.5~9.6 <10 <50 1 <0.1 <2 6,8 0.03~0.09
10 10 5 7.7~8.7 <15 <70 1 <0.1 <2 6,2 0.03~0.1
11 11 5 10.4~11.6 <20 <70 1 <0.1 <2 8,2 0.03~0.11
12 12 5 11.4~12.7 <20 <90 1 <0.1 <2 9,1 0.03~0.011
13 13 5 12.4~14.1 <26 <110 1 <0.1 <2 10 0.03~0.011
15 15 5 13.8~15.6 <30 <110 1 <0.1 <2 11 0.03~0.011
16 16 5 15.3~17.1 <40 <170 1 <0.1 <2 12 0.03~0.011
18 18 5 16.8~19.1 <50 <170 1 <0.1 <2 13 0.03~0.011
20 20 5 18.8~21.2 <55 <220 1 <0.1 <2 15 0.03~0.011
22 22 5 20.8~23.3 <55 <220 1 <0.1 <2 16 0.04~0.012
24 24 5 22.8~25.6 <80 <220 1 <0.1 <2 18 0.04~0.012
27 27 5 25.1~28.9 <80 <220 1 <0.1 <2 20 0.04~0.012
30 30 5 28~32 <80 <220 1 <0.1 <2 22 0.04~0.012
33 33 5 31~35 <80 <220 1 <0.1 <2 24 0.04~0.012
36 36 5 34~38 <80 <220 1 <0.1 <2 27 0.04~0.012
39 39 2,5 37~41 <90 <500 0,5 <0.1 <5 30 0.04~0.012
43 43 2,5 40~46 <90 <600 0,5 <0.1 <5 33 0.04~0.012
47 47 2,5 44~50 <110 <700 0,5 <0.1 <5 36 0.04~0.012
51 51 2,5 48~54 <125 <700 0,5 <0.1 <10 36 0.04~0.012
56 56 2,5 52~60 <135 <1000 0,5 <0.1 <10 39 0.04~0.012
62 62 2,5 58~66 <150 <1000 0,5 <0.1 <10 43 0.04~0.012
68 68 2,5 64~72 <200 <1000 0,5 <0.1 <10 51 0.04~0.012
75 75 2,5 70~79 <250 <1500 0,5 <0.1 <10 56 0.04~0.012

1) Verfügbarer Antrag der festeren Toleranzen:

BZM55B-… ±2% von VZnom

 

2) an Tj=150℃

 

Größe

kleiner Oberflächenzenerdiode-Einsparungs-Raum BZM55C2V0 - BZM55C75 des berg-0.5W 0

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Kontaktdaten
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

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