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Hochgeschwindigkeitsschaltdiode 1SS83 VR 250V mit Silikon-Epitaxial- planarem

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China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. zertifizierungen
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Hochgeschwindigkeitsschaltdiode 1SS83 VR 250V mit Silikon-Epitaxial- planarem

VR 250V High Speed Switching Diode 1SS83 With Silicon Epitaxial Planar
VR 250V High Speed Switching Diode 1SS83 With Silicon Epitaxial Planar VR 250V High Speed Switching Diode 1SS83 With Silicon Epitaxial Planar VR 250V High Speed Switching Diode 1SS83 With Silicon Epitaxial Planar

Großes Bild :  Hochgeschwindigkeitsschaltdiode 1SS83 VR 250V mit Silikon-Epitaxial- planarem

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: XUYANG
Zertifizierung: ISO9001/RoHS
Modellnummer: 1SS83

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 5000pcs
Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Band im Kasten, 5000pcs/box
Lieferzeit: 5 - 8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T / T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100000pcs pro 1 Woche
Kontakt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Name: Hochspannungsschaltdiode Teilenummer: 1SS83
VR: 250V Case: DO-35
Grenzschichttemperatur: 175°C Lagertemperatur: – 65 zu +175°C
Markieren:

small signal fast switching diodes

,

small signal switching diode

Silikon-Epitaxial- planares für Hochspannungsschaltdiode 1SS83

 

 

Eigenschaften

 

• Hohe Sperrspannung (VR = 250V)

• Hohe Zuverlässigkeit mit Glasdichtung

.

Mechanische Daten

Fall: Glaskasten DO-35

Gewicht: ca. 0.13g

 

Absolute Maximalleistungen

Parameter Symbol Grenze Einheit
Sperrspannung VR 250 V
Höchstrückseite Voltage*1 VRM 300 V
Durchschnittlicher Richtstrom Io 200 MA
Höchstvorwärtsstrom IFM 625 MA
Nichtfortlaufende Höchstvorwärtsüberspannung IFSM *2 1 A
Verlustleistung PD 400 mW
Grenzschichttemperatur Tj 175 °C
Lagertemperatur TS – 65 bis +175 °C

 

Elektrische Eigenschaften (TJ = 25°C wenn nicht anders vermerkt)

Parameter Symbol Testbedingung Minute Art Maximal Einheit
Vorwärtsspannung VF WENN = 100mA — — 1,0 V
Rückstrom IR1 VR = 200V — — 200 Na
IR2 VR = 300V — — 100 μA
Kapazitanz C VR = 0V, f =1.0 MHZ — 1,5 — PF
Rückgenesungszeit trr

WENN = IR = 30mA,

IRR = 3 MA, RL = 100Ω

 — — 100 ns

 

Zeichnen:

Hochgeschwindigkeitsschaltdiode 1SS83 VR 250V mit Silikon-Epitaxial- planarem 0

part1 diode.png

 

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Größe und Tag:

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Kontaktdaten
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Ansprechpartner: Bixia Wu

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