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SOD-80 MninMelf differenzielle Schottky Diode BAV100 BAV101 BA102 BAV103

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SOD-80 MninMelf differenzielle Schottky Diode BAV100 BAV101 BA102 BAV103

Großes Bild : SOD-80 MninMelf differenzielle Schottky Diode BAV100 BAV101 BA102 BAV103

Produktdetails:

Herkunftsort:	China
Markenname:	XUYANG
Zertifizierung:	ISO9001/RoHS
Modellnummer:	BAV100 BAV101 BA102 BAV103

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	2500pcs
Preis:	negotiation
Verpackung Informationen:	Band in der Spule, 2500pcs/reel
Lieferzeit:	5 - 8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen:	T / T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	100000pcs pro 1 Woche

Kontakt

Ausführliche Produkt-Beschreibung

Teilnummer:	BAV103	VR:	200V
Paket:	SOD-80C	Sich wiederholender Höchstvorwärtsstrom:	625mA
Vorwärtsstrom:	250mA	Grenzschichttemperatur:	175℃
Markieren:	1n914 switching diode , 1n914 blocking diode

SOD-80 MninMelf differenzielle Diode BAV100 BAV101 BA102 BAV103

Eigenschaften
Hohe Zuverlässigkeit

Anwendungen:

Für universellen Zweck

Absolute Maximalleistungen
Tj=25℃

Parameter	Testbedingungen	Art	Symbol	Wert	Einheit
Sich wiederholende Höchstsperrspannung		BAV100	VRRM	60	V
		BAV101	VRRM	120	V
		BAV102	VRRM	100	V
		BAV103	VRRM	250	V
Sperrspannung		BAV100	VR	50	V
		BAV101	VR	100	V
		BAV102	VR	150	V
		BAV103	VR	200	V
Höchstvorwärtsüberspannung	t<1s>		IFSM	1	A
Sich wiederholender Höchstvorwärtsstrom			IFRM	625	MA
Vorwärts-DC-Strom	Tamb=25℃		WENN	250	MA
Richtstrom (Durchschnitt)			IFAV	200	MA
Verlustleistung	Tamb=25℃		Ptot	500	mW
Grenzschichttemperatur			Tj	175	℃
Lagertemperaturbereich			Tstg	-65~+175	℃

Maximaler thermischer Widerstand

Tj=25℃

Parameter	Testbedingungen	Symbol	Wert	Einheit
Kreuzung umgebend	auf PC-Brett 50mmX50mmX1.6mm	RthJA	500	K/W

Elektrische Eigenschaften
Tj=25℃

Parameter	Testbedingungen	Art	Symbol	Minute	Art	Maximal	Einheit
Vorwärtsspannung	IF=100mA		VF			1,00	V
	VR=50V	BAV100	IR			100	Na
	VR=50 Tj=100℃	BAV100	IR			15	μA
Rückstrom	VR=100V	BAV101	IR		1	100	Na
	VR=100 Tj=100℃	BAV101	IR			15	μA
	VR=150V	BAV102	IR			100	Na
	VR=150 Tj=100℃	BAV102	IR			15	μA
	VR=200V	BAV103	IR			100	Na
	VR=200 Tj=100℃	BAV103	IR			15	μA
Dynamischer Vorwärtswiderstand	IF=10mA		Rf			5	Ω
Diodenkapazitanz	VR=0, f=1MHz		CD		1,5		PF
Rückgenesungszeit	IF= IR=30mA, Irr=3mA, RL=100Ω		trr			50	ns

SOD-80 MninMelf differenzielle Schottky Diode BAV100 BAV101 BA102 BAV103 0

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