Hochgeschwindigkeitsschaltdiode 1N4148 0.15A 75V 4.0nS mit Glaskasten DO-35

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Name: Hochgeschwindigkeitsschaltdiode 1N4148 0.15A 75V 4.0nS mit Glaskasten DO-35
Brand: XUYANG
SKU: 1N4148

Min Bestellmenge:	5000pcs
Preis:	negotiation
Verpackung Informationen:	Band im Kasten, 5000pcs/box
Lieferzeit:	5 - 8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen:	T / T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	100000pcs pro 1 Woche

Kontakt

Ausführliche Produkt-Beschreibung

Name:	Schaltdiode	Teilenummer:	1N4148
VR:	75V	Verpackung:	DO-35
Bleifreier Status:	Bleifrei/RoHS	Vorbei versenden:	DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ Meer
Markieren:	ultra fast switching diode , small signal switching diode

Paket-Hochgeschwindigkeitsschaltdiode 1N4148 0.15A 75V 4.0nS DO-35

Eigenschaften

• Silikon-Epitaxial- planare Diode

• Schnelle Schaltdiode.

• Diese Diode ist auch in anderen Fallarten einschließlich den Fall SOD-123 mit der Art verfügbar

Bezeichnung 1N4148W, der MiniMELF-Fall mit der Typenbezeichnung LL4148, das SOT-23

Fall mit der Typenbezeichnung IMBD4148.

Mechanische Daten

Fall: Glaskasten DO-35

Gewicht: ca. 0.13g

Zeichnen:

Maximalleistungen und thermische Eigenschaften (TA = 25°C wenn nicht anders vermerkt)

Parameter	Symbol	Grenze	Einheit
Sperrspannung	VR	75	V
Höchstsperrspannung	VRM	100	V
Durchschnittlicher Richtstrom Halbwellenkorrektur mit widerstrebender Last an Tamb = an 25°C	WENN (HANDELS)	150	MA
Anstiegs-Vorwärtsstrom an t < 1s="" and="" Tj="25°C	IFSM	500	MA
Verlustleistung an Tamb = an 25°C	Ptot	500	mW
Thermischer Widerstand-Kreuzung zur Luft	RθJA	350	°C/W
Grenzschichttemperatur	Tj	175	°C
Lagertemperatur	TS	– 65 bis +175	°C

Elektrische Eigenschaften (TJ = 25°C wenn nicht anders vermerkt)

Parameter	Symbol	Testbedingung	Minute	Art	Maximal	Einheit
Rückdurchbruchsspannung	V (BR) R	IR = 100μA	100			V
Vorwärtsspannung	VF	WENN = 10mA	—	—	1,0	V
Durchsickern-Strom	IR	VR = 20V VR = 75V VR = 20V, TJ = 150°C	—	—	25 5 50	Na μA μA
Kapazitanz	Ctot	VF = VR = 0V	—	—	4	PF
Spannungsanstieg, wenn Sie sich anschalten (geprüft mit Impulsen 50mA)	Vfr	TP = 0.1μs, Anstiegszeit < 30ns=""> fp = 5 zu 100kHz	—	—	2,5	ns
Rückgenesungszeit	trr	WENN = 10mA, IR = 1mA, VR = 6V, RL = 100Ω	—	—	4	ns
Richtwirkungsgrad	Nanovolt	f = 100MHz, VRF = 2V	0,45	—	—	—