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Silikon bidirektionale ZWEIWEG-SCHALTDIODE DB3 Triggerdiode mit hoher Vorwärtsanstiegs-Fähigkeit

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Silikon bidirektionale ZWEIWEG-SCHALTDIODE DB3 Triggerdiode mit hoher Vorwärtsanstiegs-Fähigkeit

Großes Bild : Silikon bidirektionale ZWEIWEG-SCHALTDIODE DB3 Triggerdiode mit hoher Vorwärtsanstiegs-Fähigkeit

Produktdetails:

Herkunftsort:	China
Markenname:	XUYANG
Zertifizierung:	ISO9001
Modellnummer:	DB3

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	5000pcs
Preis:	negotiation
Verpackung Informationen:	Band in der Spule, 5000pcs/reel
Lieferzeit:	5 - 8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen:	T / T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	100000pcs pro 1 Woche

Kontakt

Ausführliche Produkt-Beschreibung

Teilenummer:	DB3	VBO:	28-36V
Verpackung:	SMA/DO-214AC	Grenzschichttemperatur:	-40~+110°C
Verpackung:	Band in der Spule	Vorbei versenden:	DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ Meer
Markieren:	db3 diac diode , db3 diac trigger diode

Silikon bidirektionale ZWEIWEG-SCHALTDIODE Triggerdiode DB3 SMA mit Oberflächenberg-Paket

Eigenschaften

1. Niedriges Rückdurchsickern

2. Hohe Vorwärtsanstiegsfähigkeit

3. Löten der hohen Temperatur garantiert: 250℃/10 Sekunden, 0,375" (9.5mm) Führungslänge

Mechanische Daten

·Anschlüsse: Überzogene Axialzuleitungen
·Polarität: Farbband bezeichnet Kathodenende
·Montageposition: Irgendwelche

Absolute Maximalleistungen

Symbole	Parameter		Wert	Einheit
Symbole	Parameter		DB3	Einheit
PC	Verlustleistung auf gedruckt Stromkreis [L=10mm]	TA=50℃	150	mW
ITRM	Sich wiederholender Höchstein-zustand Gegenwärtig	tp=10us F=100Hz	2,0	A
TSTG/TJ	Lagerung und 0 perating Grenzschichttemperatur		-40 bis +125/-40 bis 110	℃

Elektrische Eigenschaften

Parameter	Symbol	Testbedingungen		Wert	Einheit
Kippspannung	VBO		MIN.	28	V
			ART.	32
			MAXIMUM.	36
Kippspannungssymmetrie	\|VBO1-VBO2\|	C=22nF **	MAXIMUM.	±3	V
Dynamisches Kipp-voltage*	△V	VBO und VF an 10mA	MIN.	5	V
Ertrag voltage*	V_O	sehen Sie Diagramm 2 (R=20Ω)	MIN.	5	V
Kipp-current*	IBOS	C=22nF **	MAXIMUM.	100	μA
Aufstieg time*	tr		MAXIMUM.	1,5	μs
Durchsickern current*	IR	VR=0.5VBO maximal	MAXIMUM.	10	μA

Anmerkungen: Eigenschaften 1.Electrical anwendbar in den Vorwärts- und Rückwärtsrichtungen.
2.Connected parallel zu den Geräten.

Größe:

Silikon bidirektionale ZWEIWEG-SCHALTDIODE DB3 Triggerdiode mit hoher Vorwärtsanstiegs-Fähigkeit 0

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Schließen Sie Lieferung kurz: helfen Sie Ihnen, Zeit zu sparen.

Konkurrenzfähiger Preis: der Preis ist nicht der niedrigste aber höchste Kostenverlauf

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Größe und Tag:

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