Produktdetails:
Zahlung und Versand AGB:
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Teilenummer: | HS1A - HS1M | Aktuelle: | 1A |
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Spannung: | 50-1000V | Verpackung: | SMA/DO-214AC |
Verpackung: | Band in der Spule | Max. Reverse Current: | μA 5 |
Markieren: | high efficiency diode,alternator rectifier diode |
Oberflächenberg-hohe Leistungsfähigkeits-Gleichrichterdiode HS1A bis HS1M mit SMA-Paket
Produkt wird für Schaltnetzteil, Haushaltsgeräte, wie Sojabohnenmilch benutzt
Maschinenelektrogeräte.
Als fachkundiger Hersteller von Dioden, sind wir mit automatischer Produktion vollausgebaut
Linien einschließlich Versammlung, Schweißen, Prüfung und Verpackungsmaschinerie. Unsere kritischen Materialien sind
importiert aus den USA und dem Japan, um hochwertiges, also unsere Produkte sicherzustellen verkaufen Sie gut herein weltweit
Märkte.
Produkte werden in Masse und Borte unterteilt.
EIGENSCHAFTEN
Glas passivierter Kreuzungschip.
Für Oberfläche angebrachte Anwendung
Niedriger Vorwärtsspannungsabfall
Flaches Paket
Eingebaute Fleckentlastung, ideal für automatische Platzierung
Schnelle Schaltung für hohe Leistungsfähigkeit
Löten der hohen Temperatur: Sekunden 260℃/10 an den Anschlüssen
Das benutzte Plastik trägt Versicherer-Laborklassifikation 94V-O
MECHANISCHE DATEN
Fälle: Geformter Plastik
Anschlüsse: Lötmittel überzogen
Polarität: Angezeigt durch Kathodenband
Verpacken: 12mm Band pro E1A Geschlechtskrankheit RS-481
Gewicht: 0,093 Gramm
MAXIMALLEISTUNGEN UND ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN
25 otherwies uniess umgebende Temperatur C veranschlagen spezifiziert.
60Hz, widerstrebender oder induktiver des einphasigen Belastung der Halbwelle.
Für kapazitive Last setzen Sie Strom durch 20% herab.
SCHREIBEN SIE ZAHL | HS1A | HS1B | HS1D | HS1F | HS1G | HS1J | HS1K | HS1M | Einheit |
Maximale rückläufige Höchstsperrspannung | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
Maximale Effektivwert-Spannung | 35 | 70 | 140 | 210 | 280 | 420 | 580 | 700 | V |
Blockierspannung Maximum DCs | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
Maximaler durchschnittlicher Vorwärtsrichtstrom .375" (9.5mm) Führungs-Länge an Ta=55℃ |
1,0 | A | |||||||
Höchstvorwärtsüberspannung, einzelne halbe Sinuswelle mit 8,3 Frauen gelegt auf bewerteter Last (JEDEC-Methode) | 30 | A | |||||||
Maximale blitzschnelle Vorwärtsspannung an 1.0A | 1,0 | 1,3 | 1,85 | V | |||||
Maximum DC-Rückstrom Ta=25℃ an bewerteter Blockierspannung Ta=100℃ DCs |
5,0
100 |
μA
μA |
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Maximale Rückgenesungszeit (Anmerkung 1) | 50 | 75 | nS | ||||||
Typische Kreuzungs-Kapazitanz (Anmerkung 2) | 20 | 15 | PF | ||||||
Betriebstemperaturbereich TJ | -55 +150 | ℃ | |||||||
Lagertemperaturbereich TSTG | -55 +150 | ℃ |
ANMERKUNGEN:
1. RückgenesungszeitTestbedingung: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A
2. gemessen an 1MHz und an angewendeter Sperrspannung von DC 4.0V
3. Angebracht an PWB mit 0,4"“ (10 x 10 Millimeter) Auflagen-Bereiche des Kupfer-x0.4.
Zeichnen:
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