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Universelle differenzielle schnelle Schaltdioden 1N4448 mit Fall DO-35

China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. zertifizierungen
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Universelle differenzielle schnelle Schaltdioden 1N4448 mit Fall DO-35

General Purpose Small Signal Fast Switching Diodes 1N4448 With DO-35 Case
General Purpose Small Signal Fast Switching Diodes 1N4448 With DO-35 Case General Purpose Small Signal Fast Switching Diodes 1N4448 With DO-35 Case General Purpose Small Signal Fast Switching Diodes 1N4448 With DO-35 Case

Großes Bild :  Universelle differenzielle schnelle Schaltdioden 1N4448 mit Fall DO-35

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: XUYANG
Zertifizierung: ISO9001/RoHS
Modellnummer: 1N4448

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 5000pcs
Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Band im Kasten, 5000pcs/box
Lieferzeit: 5 - 8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T / T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100000pcs pro 1 Woche
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Name: Schaltdiode Teilenummer: 1N4448
VR: 75V Case: DO-35
Grenzschichttemperatur: 175°C Lagertemperatur: – 65 zu +175°C
Markieren:

ultra fast switching diode

,

small signal switching diode

kleine einzelne Diode der Hochgeschwindigkeitsschaltdiode-1N4448 mit Fall DO-35

 

 

Eigenschaften

 

• Silikon-Epitaxial- planare Diode

• Schnelle Schaltdiode.

• Diese Diode ist auch in anderen Fallarten einschließlich den Fall SOD-123 mit der Art verfügbar

Bezeichnung 1N4448W, der MiniMELF-Fall mit der Typenbezeichnung LL4148, das SOT-23

Fall mit der Typenbezeichnung IMBD4148.

.

Mechanische Daten

Fall: Glaskasten DO-35

Gewicht: ca. 0.13g

 

Maximalleistungen und thermische Eigenschaften (TA = 25°C wenn nicht anders vermerkt)

Parameter Symbol Grenze Einheit
Sperrspannung VR 75 V
Höchstsperrspannung VRM 100 V

Durchschnittlicher Richtstrom

Halbwellenkorrektur mit widerstrebender Last an Tamb = an 25°C

WENN (HANDELS) 150 MA
Anstiegs-Vorwärtsstrom an t < 1s="" and="" Tj="25°C IFSM 500 MA
Verlustleistung an Tamb = an 25°C Ptot 500 mW
Thermischer Widerstand-Kreuzung zur Luft RθJA 350 °C/W
Grenzschichttemperatur Tj 175 °C
Lagertemperatur TS – 65 bis +175 °C

 

Elektrische Eigenschaften (TJ = 25°C wenn nicht anders vermerkt)

Parameter Symbol Testbedingung Minute Art Maximal Einheit
Vorwärtsspannung VF

WENN = 5mA

WENN = 100mA

0,62

0,70

1,0

V
Durchsickern-Strom IR

VR = 20V

VR = 75V

VR = 20V, TJ = 150°C

25

5

50

Na

μA

μA

Rückdurchbruchsspannung V (BR) R IR = 100ìA (pulsiert) 100 V
Kapazitanz Ctot VF = VR = 0V 4 PF
Rückgenesungszeit trr

WENN = 10mA, IR = 1mA,

VR = 6V, RL = 100Ù

4 ns
Richtwirkungsgrad Nanovolt f = 100MHz, VRF = 2V 0,45

 

Zeichnen:

Universelle differenzielle schnelle Schaltdioden 1N4448 mit Fall DO-35 0

part1 diode.png

 

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Kontaktdaten
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Ansprechpartner: Bixia Wu

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