Produktdetails:
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Name: | Schaltdiode | Teilenummer: | 1N4448 |
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VR: | 75V | Case: | DO-35 |
Grenzschichttemperatur: | 175°C | Lagertemperatur: | – 65 zu +175°C |
Markieren: | ultra fast switching diode,small signal switching diode |
kleine einzelne Diode der Hochgeschwindigkeitsschaltdiode-1N4448 mit Fall DO-35
Eigenschaften
• Silikon-Epitaxial- planare Diode
• Schnelle Schaltdiode.
• Diese Diode ist auch in anderen Fallarten einschließlich den Fall SOD-123 mit der Art verfügbar
Bezeichnung 1N4448W, der MiniMELF-Fall mit der Typenbezeichnung LL4148, das SOT-23
Fall mit der Typenbezeichnung IMBD4148.
.
Mechanische Daten
Fall: Glaskasten DO-35
Gewicht: ca. 0.13g
Maximalleistungen und thermische Eigenschaften (TA = 25°C wenn nicht anders vermerkt)
Parameter | Symbol | Grenze | Einheit |
Sperrspannung | VR | 75 | V |
Höchstsperrspannung | VRM | 100 | V |
Durchschnittlicher Richtstrom Halbwellenkorrektur mit widerstrebender Last an Tamb = an 25°C |
WENN (HANDELS) | 150 | MA |
Anstiegs-Vorwärtsstrom an t < 1s="" and="" Tj="25°C | IFSM | 500 | MA |
Verlustleistung an Tamb = an 25°C | Ptot | 500 | mW |
Thermischer Widerstand-Kreuzung zur Luft | RθJA | 350 | °C/W |
Grenzschichttemperatur | Tj | 175 | °C |
Lagertemperatur | TS | – 65 bis +175 | °C |
Elektrische Eigenschaften (TJ = 25°C wenn nicht anders vermerkt)
Parameter | Symbol | Testbedingung | Minute | Art | Maximal | Einheit |
Vorwärtsspannung | VF |
WENN = 5mA WENN = 100mA |
0,62 — |
— — |
0,70 1,0 |
V |
Durchsickern-Strom | IR |
VR = 20V VR = 75V VR = 20V, TJ = 150°C |
— — — |
— — — |
25 5 50 |
Na μA μA |
Rückdurchbruchsspannung | V (BR) R | IR = 100ìA (pulsiert) | 100 | — | — | V |
Kapazitanz | Ctot | VF = VR = 0V | — | — | 4 | PF |
Rückgenesungszeit | trr |
WENN = 10mA, IR = 1mA, VR = 6V, RL = 100Ù |
— | — | 4 | ns |
Richtwirkungsgrad | Nanovolt | f = 100MHz, VRF = 2V | 0,45 | — | — | — |
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