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Berg-Diode 80V 0.1A SOD323 der Oberflächen-1SS355 fasten Wiederaufnahme-Dioden für Hochgeschwindigkeitsschaltung

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Berg-Diode 80V 0.1A SOD323 der Oberflächen-1SS355 fasten Wiederaufnahme-Dioden für Hochgeschwindigkeitsschaltung

Großes Bild : Berg-Diode 80V 0.1A SOD323 der Oberflächen-1SS355 fasten Wiederaufnahme-Dioden für Hochgeschwindigkeitsschaltung

Produktdetails:

Herkunftsort:	China
Markenname:	XUYANG
Zertifizierung:	ISO9001/RoHS
Modellnummer:	1SS355

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	3000PCS
Preis:	negotiation
Verpackung Informationen:	Band in der Spule, 3000pcs/reel
Lieferzeit:	10-15 Arbeitstag
Zahlungsbedingungen:	T / T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	100000pcs pro 1 Woche

Kontakt

Ausführliche Produkt-Beschreibung

Teilenummer:	1SS355	Spannung - DC-Rückseite (Vr) (maximal):	80v
Gegenwärtig - Durchschnitt korrigiert (Io):	100mA	Rückgenesungszeit (trr):	4ns
Paket/Fall:	SOD-323	Betriebstemperatur - Kreuzung:	-55°C \| 150°C
Markieren:	small signal fast switching diodes , ultra fast switching diode

Oberflächenberg-Diode 1SS355 fasten Schaltdiode 80V 0.1A SOD323

Eigenschaften:

• Hochgeschwindigkeitsschaltdiode
• Oberflächenberg
• Für universelle Schaltungsanwendungen

• Hohe Zuverlässigkeit mit der hohen Überspannung, die Fähigkeit behandelt

• Niedrige Vorwärtsspannung

MARKIERUNG: A

Maximalleistungen und elektrische Eigenschaften, einzelne Diode @Ta=25℃

Parameter	Symbol	Grenze	Einheit
Nichtfortlaufende Höchstsperrspannung	VRM	90	V
Blockierspannung DCs	VR	80	V
Höchst-forword Strom	IFM	225	MA
Durchschnitt korrigierte Ausgangsstrom	IO	100	MA
Nichtfortlaufende Höchstvorwärtsüberspannung @t=8.3ms	IFSM	2,0	A
Verlustleistung	PD	200	mW
Thermischer Widerstand von der Kreuzung zu umgebendem	RθJA	625	℃/W
Grenzschichttemperatur	TJ	150	℃
Lagertemperaturbereich	TSTG	-55~+150	℃

Elektrische Werte @Ta=25℃

Parameter	Symbol	Minute	Art	Maximal	Einheit	Bedingungen
Vorwärtsspannung	VF			1,2	V	IF=100mA
Rückstrom	IR			0,1	MA	VR=80V
Kapazitanz zwischen Anschlüssen	CT			3,0	PF	VR=0.5V, f=1MHz
Rückgenesungszeit	t r r			4,0	ns	IF=10mA, VR=6V, RL=100Ω