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bidirektionale Diode DB3 des Trigger28-36v mit niedriger Rückzustimmung des durchsickern-ROHS

China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. zertifizierungen
China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. zertifizierungen
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bidirektionale Diode DB3 des Trigger28-36v mit niedriger Rückzustimmung des durchsickern-ROHS

28-36V Bidirectional Trigger Diode DB3 With Low Reverse Leakage ROHS Approval
28-36V Bidirectional Trigger Diode DB3 With Low Reverse Leakage ROHS Approval 28-36V Bidirectional Trigger Diode DB3 With Low Reverse Leakage ROHS Approval 28-36V Bidirectional Trigger Diode DB3 With Low Reverse Leakage ROHS Approval

Großes Bild :  bidirektionale Diode DB3 des Trigger28-36v mit niedriger Rückzustimmung des durchsickern-ROHS

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: XUYANG
Zertifizierung: ISO9001
Modellnummer: DB3

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 5000pcs
Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Band im Kasten, 5000pcs/box
Lieferzeit: 5 - 8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T / T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100000pcs pro 1 Woche
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Teilenummer: DB3 VBO: 28-36V
Verpackung: DO-41 Grenzschichttemperatur: -40~+110°C
Verpackung: Band im Kasten Vorbei versenden: DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ Meer
Markieren:

db3 diac diode

,

db3 diac trigger diode

Bidirektionale Diode DB3 ZWEIWEG-SCHALTDIODE ROHS Triggermit DO-41 durch Loch-Paket

 

Eigenschaften

1. Niedriges Rückdurchsickern

2. Hohe Vorwärtsanstiegsfähigkeit

3. Löten der hohen Temperatur garantiert: 250℃/10 Sekunden, 0,375" (9.5mm) Führungslänge

 

 

Mechanische Daten

· Anschlüsse: Überzogene Axialzuleitungen
· Polarität: Farbband bezeichnet Kathodenende
· Montageposition: Irgendwelche

 

 

Absolute Maximalleistungen

Symbole Parameter Wert Einheit
DB3
PC

Verlustleistung auf gedruckt

Stromkreis [L=10mm]

TA=50℃ 150 mW
ITRM

Sich wiederholender Höchstein-zustand

Gegenwärtig

tp=10us

F=100Hz

2,0 A
TSTG/TJ Lagerung und 0 perating Grenzschichttemperatur -40 bis +125/-40 bis 110

 

Elektrische Eigenschaften

Parameter Symbol Testbedingungen Wert Einheit
Kippspannung VBO   MIN. 28 V
ART. 32
MAXIMUM. 36
Kippspannungssymmetrie |VBO1-VBO2| C=22nF ** MAXIMUM. ±3 V
Dynamisches Kipp-voltage* △V VBO und VF an 10mA MIN. 5 V
Ertrag voltage* VO sehen Sie Diagramm 2 (R=20Ω) MIN. 5 V
Kipp-current* IBOS C=22nF ** MAXIMUM. 100 μA
Aufstieg time* tr   MAXIMUM. 1,5 μs
Durchsickern current* IR VR=0.5VBO maximal MAXIMUM. 10 μA

Anmerkungen: Eigenschaften 1.Electrical anwendbar in den Vorwärts- und Rückwärtsrichtungen.
           2.Connected parallel zu den Geräten.

 

bidirektionale Diode DB3 des Trigger28-36v mit niedriger Rückzustimmung des durchsickern-ROHS 0

 

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Kontaktdaten
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

Ansprechpartner: Bixia Wu

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