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Grenzschichttemperatur der ZWEIWEG-SCHALTDIODE 35-45V Triggersmd Dioden-LLDB4 -40~+110°C

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China Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. zertifizierungen
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Grenzschichttemperatur der ZWEIWEG-SCHALTDIODE 35-45V Triggersmd Dioden-LLDB4 -40~+110°C

35-45V DIAC Trigger SMD Diode LLDB4 -40~+110°C Junction Temperature
35-45V DIAC Trigger SMD Diode LLDB4 -40~+110°C Junction Temperature 35-45V DIAC Trigger SMD Diode LLDB4 -40~+110°C Junction Temperature 35-45V DIAC Trigger SMD Diode LLDB4 -40~+110°C Junction Temperature

Großes Bild :  Grenzschichttemperatur der ZWEIWEG-SCHALTDIODE 35-45V Triggersmd Dioden-LLDB4 -40~+110°C

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: XUYANG
Zertifizierung: ISO9001/RohS
Modellnummer: LLDB4

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 2500pcs
Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Band in der Spule, 2500pcs/reel
Lieferzeit: 10 - 15 Arbeits-Tage
Zahlungsbedingungen: T / T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100000pcs pro 1 Woche
Kontakt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Teilenummer: LLDB4 VBO: 35-45V
IR: 10uA Verpackung: SOD-80/LL-34
Verpackung: Band in der Spule Grenzschichttemperatur: -40~+110°C
Markieren:

bidirectional trigger diode

,

db3 diac trigger diode

Bidirektionale SMD-ZWEIWEG-SCHALTDIODE Trigger-Diode LLDB4 mit Glas- Mini-Melf-Paket

 

Eigenschaften

 

1. VBO: 40V (ART)

2. Kippspannungsbereich: 35 zu 45V

 

 

Anwendungen

 

Arbeitend als Triggerdiode mit einem Festspannungshinweis, kann das LLDB4 in der Verbindung verwendet werden

mit TRIAC für vereinfachte Torsteuerstromkreise oder als Anfangselement in den Leuchtstofflampen-Ballasten.

 

 

Absolute Maximalleistungen

 

Sich wiederholender Höchstdurchlassstrom (tp=20μs F=120 Hz) ITRM 2 A
Funktionierende Grenzschichttemperaturstrecke Tj -40 | +125 ℃
Lagertemperaturbereich Tstg -40 | +125 ℃

 

Elektrische Eigenschaften

 

Parameter Symbol Testbedingungen Wert Einheit
Kipp-voltage* VBO   MIN. 35 V
ART. 40
MAXIMUM. 45
Kippspannungssymmetrie |VBO1-VBO2| C=22nF ** MAXIMUM. ±3 V
Dynamisches Kipp-voltage* △V VBO und VF an 10mA MIN. 5 V
Ertrag voltage* Vl sehen Sie Diagramm 2 (R=20Ω) MIN. 5 V
Kipp-current* IBOS C=22nF ** MAXIMUM. 50 μA
Aufstieg time* tr sehen Sie Diagramm 3 MAXIMUM. 2 μs
Durchsickern current* IR VR=0.5VBO maximal MAXIMUM. 10 μA

 

Größe:

Grenzschichttemperatur der ZWEIWEG-SCHALTDIODE 35-45V Triggersmd Dioden-LLDB4 -40~+110°C 0

5more choice.png

 

Was kann Sie von XUYANG?

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Konkurrenzfähiger Preis: der Preis ist nicht der niedrigste aber höchste Kostenverlauf

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Größe und Tag:

Zweiweg-Schaltdiode db3 Diode,

Zweiweg-Schaltdiode db3 Triggerdiode,

bidirektionale Triggerdiode

Kontaktdaten
Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

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