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Ultra Schaltverzögerungs-differenzielle Schottky-Diode SD101 für HF-Detektor

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Ultra Schaltverzögerungs-differenzielle Schottky-Diode SD101 für HF-Detektor

Großes Bild : Ultra Schaltverzögerungs-differenzielle Schottky-Diode SD101 für HF-Detektor

Produktdetails:

Herkunftsort:	China
Markenname:	XUYANG
Zertifizierung:	ISO9001/RoHS
Modellnummer:	SD101A

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	5000pcs
Preis:	negotiation
Verpackung Informationen:	Band im Kasten, 5000pcs/box
Lieferzeit:	5 - 8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen:	T / T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	100000pcs pro 1 Woche

Kontakt

Ausführliche Produkt-Beschreibung

Teilenummer:	SD101A	VR:	60V
Verpackung:	DO-35	SPQ:	5000pcs
WENN (HANDELS):	15mA	Grenzschichttemperatur:	125℃
Markieren:	1n914 switching diode , 1n914 blocking diode

Der Reihen-SD101 differenzielle Kasten-Halbleiter-Dioden-Abteilung Schottky-Dioden-DO-35

Eigenschaften

Metall-auf-Silikonkreuzung, Majoritätsladungsträgerleitung
Hohe gegenwärtige Fähigkeit, niedriger Vorwärtsspannungsabfall
Extrem - niedriger Rückstrom IR
Ultra Geschwindigkeitsschaltcharakteristik
Kleiner Temperaturkoeffizient Vorwärtseigenschaften
Zufrieden stellende Wellenentdeckungs-Leistungsfähigkeit
Superhochgeschwindigkeitsschaltung cirits, kleiner gegenwärtiger Gleichrichter
Löten der hohen Temperatur garantiert: Sekunden 260℃/10 an den Anschlüssen
Komponente in der Übereinstimmung zu RoHS 2015/863/EU

Anwendungen

1. HF-Detektor

2. Schutzschaltung

3. Kleines Ladegerät

4. AC/DC, DC-/DCkonverter

Bau

Epitaxial- planares des Silikons

Absolute Maximalleistungen

Tj=25℃

Parameter	Testbedingungen	Art	Symbol	Wert	Einheit
Höchstgegenspannung		SD101A	VRRM	60	V
		SD101B	VRRM	50	V
		SD101C	VRRM	40	V
Maximale einzelne Rechteckwelle des Zyklusanstiegs 10us			IFSM	2	A
Verlustleistung	Tamb=25℃		P_V	400	mW
Lagertemperaturbereich			Tstg	-55~+150	℃

Elektrische Eigenschaften

Tj=25℃

Parameter	Testbedingungen	Art	Symbol	Minute	Art	Maximal	Einheit
Vorwärtsspannungsabfall	IF=1mA	SD101A	VF			0,41	V
		SD101B				0,4
		SD101C				0,39
	IF=15mA	SD101A	VF			1	V
		SD101B				0,95
		SD101C				0,9
Durchsickernstrom	VR=50V	SD101A	IR		1	0,2	μA
	VR=40V	SD101B				0,2
	VR=30V	SD101C				0,2
Kreuzungskapazitanz	VR=V_F =0, f=1MHz	SD101A	Ctot			2,0	PF
		SD101B				2,1
		SD101C				2,2
Rückgenesungszeit	IF=IR=200mA zu 0.1mA		trr			1	ns

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Ansprechpartner: Bixia Wu