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Fasten differenzielle Schottky-Diode BAS85 30V 200mA ISO9001/RoHS-Zertifikat

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Fasten differenzielle Schottky-Diode BAS85 30V 200mA ISO9001/RoHS-Zertifikat

Großes Bild : Fasten differenzielle Schottky-Diode BAS85 30V 200mA ISO9001/RoHS-Zertifikat

Produktdetails:

Herkunftsort:	China
Markenname:	XUYANG
Zertifizierung:	ISO9001/RoHS
Modellnummer:	BAS85

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	2500pcs
Preis:	negotiation
Verpackung Informationen:	Band in der Spule, 2500pcs/reel
Lieferzeit:	5 - 8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen:	T / T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	100000pcs pro 1 Woche

Kontakt

Ausführliche Produkt-Beschreibung

Teilenummer:	BAS85	VR:	30V
Verpackung:	SOD-80C	Sich wiederholender Höchstvorwärtsstrom:	300mA
Vorwärtsstrom:	200mA	Grenzschichttemperatur:	125℃
Markieren:	1n914 switching diode , 1n914 blocking diode

Oberflächenberg-differenzielle schnelle Schottky-Dioden BAS85 30V 200mA

Eigenschaften

· Für universelle Anwendungen
· Diese Dioden kennzeichnet sehr niedrige Schwellenspannung und schnelle Schaltung.
· Diese Geräte werden durch einen PN-Kreuzungsschutzring gegen übermäßige Spannung, wie geschützt

elektrostatische Entladungen.
· Diese Diode ist auch in einem Fall DO-35 mit Typenbezeichnung BAT85 verfügbar.
· Komponente in der Übereinstimmung zu RoHS 2015/863/EU

Anwendungen:

Anwendungen, in denen eine sehr niedrige Vorwärtsspannung angefordert wird

ABSOLUTES RATINGES UND ELEKTRISCHER CHARAKTER

Tj=25℃

PARAMETER	SYMBOLE	WERT	MINUTE	ART	Max	EINHEIT
Sich wiederholende Höchstsperrspannung	VR	30				Volt
Vorderer stationärer Gleichstrom an TA=25°C	WENN	2001)				MA
Sich wiederholender Höchstvorwärtsstrom an TP<1s>	IFM	3001)				MA
Anstiegsvorwärtsstrom an TP<10ms>	IFSM	6001)				MA
Verlustleistung an TA=65°C	Ptot	2001)				mW
Grenzschichttemperatur	TJ	125				°C
Umgebungstemperaturstrecke	TA	-55 bis +125				°C
Lagertemperaturbereich	TSTG	-55 bis +150				°C
Rückdurchbruchsspannung geprüft mit Impulsen 100µA	V (BR) R		30			Volt
Vorwärtsspannung Impulstest TP an IF=0.1mA, an IF=1mA, an IF=10mA, an IF=30mA, an IF=100mA,	VF			0,50	0,24 0,32 0,4 0,8	Volt
Durchsickern gegenwärtiges VR=25V	IR				2	µA
Kreuzungskapazitanz an VR=1V, f=1MHz	CJ				10	PF
Rückgenesungszeitform IF=10mA, IR=1mA	TRR				5	ns
Kreuzung des thermischen Widerstands zur Luft	RJA				3002)	K/W