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TRUNKENBOLD - Plastik 23 - kapseln Sie Hochgeschwindigkeits-Schottky-Diode BAT54A BAT54C BAT54S ein

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TRUNKENBOLD - Plastik 23 - kapseln Sie Hochgeschwindigkeits-Schottky-Diode BAT54A BAT54C BAT54S ein

Großes Bild : TRUNKENBOLD - Plastik 23 - kapseln Sie Hochgeschwindigkeits-Schottky-Diode BAT54A BAT54C BAT54S ein

Produktdetails:

Herkunftsort:	China
Markenname:	XUYANG
Zertifizierung:	ISO9001/RoHS
Modellnummer:	BAT54A BAT54C BAT54S

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	3000PCS
Preis:	negotiation
Verpackung Informationen:	Band in der Spule, 3000pcs/reel
Lieferzeit:	5 - 8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen:	T / T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:	100000pcs pro 1 Woche

Kontakt

Ausführliche Produkt-Beschreibung

Teilenummer:	BAT54A BAT54C BAT54S	VR:	30V
Verpackung:	SOT-23	Verlustleistung:	200mA
Lagertemperatur:	-55-150℃	Vorderer stationärer Gleichstrom:	200mw
Markieren:	1n914 switching diode , 1n914 blocking diode

SOT-23 Plastik-kapseln Dioden-Schottky-Dioden BAT54A BAT54C BAT54S ein

Beschreibung

Diode Schottkys (Schottky) ist alias Schottky-Sperre Gleichrichter (SBR), ist gewesen in

Energieversorgungsunternehmen für 25 Jahre, ist es Niederleistungs-, Ultrahochgeschwindigkeitshalbleiterbauelemente,

weit verbreitet in den Schaltleistungslieferanten, Frequenzumsetzer, Fahrerstromkreis, wie Hoch

Frequenz, Niederspannung, hohe gegenwärtige Gleichrichterdiode, Diode des stationären Gleichstroms, Schutzdiode,

oder Mikrowellenübertragungsweg als Gleichrichterdiode, differenzielle detecor Diode.

BAT54A BAT54C BAT54S alle haben extrem Zeitraffergeschwindigkeit.

Eigenschaften

Niedrige Leitung und Rückverluste
Geringfügige Schaltungsverluste
Niedrig schicken Sie nach und heben Sie Genesungszeiten auf
Fasten extrem Schaltung
Oberflächenberggerät
Niedrige Kapazitanzdiode

Elektrisches Characteristics@TA =25℃

Parameter	Symbol	MINUTE	Art	Maximal	Einheit	Bedingungen
Rückdurchbruchsspannung	V (BR) R	30			V	IR=100μA
Rückstrom	VF1			0,24	V	IF=0.1mA
	VF2			0,32	V	IF=1mA
	VF3			0,40	V	IF=10mA
	VF4			0,50	V	IF=30mA
	VF5			1	V	IF=100mA
Rückstrom	IR			2	μA	VR=25V
Dioden-Kapazitanz	CD			10	PF	VR=0V, f=1MHz
Rückgenesungszeit	t r r			5	ns	IF=IR=10mA Irr=0.1XIR, RL=100Ω